LiAlO2 supstrat
Opis
LiAlO2 je odličan filmski kristalni supstrat.
Svojstva
| Kristalna struktura | M4 |
| Konstanta jedinične ćelije | a=5,17 A c=6,26 A |
| Tačka topljenja (℃) | 1900 |
| Gustina (g/cm).3） | 2.62 |
| tvrdoća (Mho) | 7.5 |
| Poliranje | Jednostruki ili dupli ili bez |
| Crystal Orientation | <100＞ <001> |
Definicija supstrata LiAlO2
LiAlO2 supstrat se odnosi na podlogu napravljenu od litijum-aluminijum oksida (LiAlO2).LiAlO2 je kristalno jedinjenje koje pripada prostornoj grupi R3m i ima trouglastu kristalnu strukturu.
LiAlO2 supstrati su korišćeni u različitim primenama, uključujući rast tankog filma, epitaksijalne slojeve i heterostrukture za elektronske, optoelektronske i fotonske uređaje.Zbog svojih odličnih fizičkih i hemijskih svojstava, posebno je pogodan za razvoj poluvodičkih uređaja sa širokim pojasom.
Jedna od glavnih primjena LiAlO2 supstrata je u oblasti uređaja baziranih na galijum nitridu (GaN), kao što su tranzistori visoke pokretljivosti elektrona (HEMT) i diode koje emituju svjetlost (LED).Neusklađenost rešetke između LiAlO2 i GaN je relativno mala, što ga čini pogodnim supstratom za epitaksijalni rast GaN tankih filmova.LiAlO2 supstrat pruža visokokvalitetni šablon za taloženje GaN, što rezultira poboljšanim performansama i pouzdanošću uređaja.
LiAlO2 supstrati se također koriste u drugim poljima kao što su rast feroelektričnih materijala za memorijske uređaje, razvoj piezoelektričnih uređaja i proizvodnja čvrstih baterija.Njihova jedinstvena svojstva, kao što su visoka toplotna provodljivost, dobra mehanička stabilnost i niska dielektrična konstanta, daju im prednosti u ovim primenama.
Ukratko, LiAlO2 supstrat se odnosi na supstrat napravljen od litijum-aluminijum oksida.LiAlO2 supstrati se koriste u različitim aplikacijama, posebno za rast uređaja na bazi GaN, te razvoj drugih elektronskih, optoelektronskih i fotonskih uređaja.Posjeduju poželjna fizička i kemijska svojstva koja ih čine pogodnim za taloženje tankih filmova i heterostruktura i poboljšavaju performanse uređaja.
